Санкт-Петербург • 2026

6-й Российско-Китайский семинар по
Диэлектрическим и Сегнетоэлектрическим Материалам

Наука
Без Границ

6-й Российско-Китайский семинар продолжает традицию укрепления сотрудничества между ведущими учеными в области физики конденсированного состояния.

Приглашаем вас в Санкт-Петербург для обсуждения новейших достижений в области диэлектрических явлений, сегнетоэлектрических материалов и их применения в современной электронике.

50+ Участников
40+ Докладов
5 Дней
🌍 🤝 🔬
Передовые
Методы
Получения
Теория
и
Моделирование
Science Icon

Научная Тематика

01

Фундаментальное сегнетоэлектричество

Фазовые переходы, домены и доменные стенки в классических и релаксорных сегнетоэлектриках.

02

Мультиферроики

Магнитоэлектрическое взаимодействие, магнитное управление электрической поляризацией и новые материалы.

03

Тонкие пленки и наноструктуры

Размерные эффекты, инженерия деформаций и интерфейсные явления в низкоразмерных системах.

04

Домены и доменные стенки

Наномасштабная топология доменов и функциональные свойства доменных границ.

05

Применения

Устройства памяти (FeRAM), конденсаторы и диэлектрические СВЧ-материалы.

06

Диэлектрическая керамика

Взаимосвязь структуры и свойств, а также механизмы поляризации в функциональных керамических материалах.

Окончание Приёма тезисов: 15 Июня 2026

Подача Тезисов

Приглашаем исследователей представить тезисы устных и стендовых докладов.

Требования к Оформлению Тезисов

  • Язык

    Все тезисы должны быть написаны на английском языке. Требуется ясное и грамотное изложение.

  • Формат и объем

    Подача в формате .DOCX. Максимальный объем — 1 страница A4, включая рисунки и список литературы.

  • Структура

    Должны включать: Название, Авторов, Аффилиации, Основной текст и Ключевые слова (3-5).

  • Оригинальность

    Представленные работы должны быть оригинальными и не опубликованными ранее.

Форматы докладов

Ключевой Докладчик

20 мин доклад + 5 мин вопросы.
Формат слайдов: 16:9.

Устный доклад

12 мин доклад + 3 мин вопросы.
Формат слайдов: 16:9.

Стендовая сессия

Формат: A0 Вертикальный (841 × 1189 mm).
Стенды и кнопки предоставляются.

Шаг 1

Скачайте официальный шаблон тезисов.

Скачать шаблон

Файл .DOCX, 242 КБ

Шаг 2

Готовы представить работу? Загрузите файл через наш портал.

Подать тезисы
Крайний срок: 15 июня 2026

Есть вопросы? Напишите в Программный комитет

Важные Даты

Не пропустите крайний срок. Добавьте эти даты в ваш персональный календарь.

Добавить Семинар в Календарь

15 Марта

Открытие регистрации

Начало работы системы онлайн-регистрации

+ Добавить в Календарь

15 Июня

Окончание Приема Тезисов

Крайний срок подачи тезисов устных и стендовых докладов.

+ Добавить в Календарь

1 Июля

Рассылка подтверждений

Рассылка авторам уведомлений о принятии тезисов

+ Добавить в Календарь

15 Июля

Окончание скидки

Последний день действия скидки на раннюю регистрацию.

+ Добавить в календарь

13-17 Сентября

Дни проведения

Конференция проводится в Санкт-Петербурге

+ Добавить в Календарь

Стоимость участия

Выберите вашу категорию участника. Ранняя регистрация (до 15 июля 2026) позволяет существенно сэкономить.

Ранняя Регистрация Продлится ещё
00 Дней
:
00 Часов
:
00 Минут

Участник

Ранняя регистрация
до 15 июля 2026
15 000 ₽
Поздняя / На месте
с 16 июля 2026
18 000 ₽
  • Доступ на научные секции
  • Welcome Party
  • Набор участника
  • Кофе-брейки и обеды в дни заседаний
  • Банкет

Студент

Требуется подтверждение статуса

Ранняя регистрация
до 15 июля 2026
10 000 ₽
Поздняя / На месте
с 16 июля 2026
12 000 ₽
  • Доступ на научные сессии
  • Welcome Party
  • Набор участника
  • Кофе-брейки и обеды в дни заседаний

Сопровождающий

Для гостей участников

Ранняя регистрация
до 15 июля 2026
8 000 ₽
Поздняя / На месте
с 16 июля 2026
10 000 ₽
  • Welcome Party
  • Обеды в дни заседаний
  • Банкет
Подробности об оплате находятся ниже
Предоставляем закрывающие документы для юр. лиц

Оплата оргвзноса

Выберите подходящий для вас способ оплаты и ознакомьтесь с инструкцией.

Мы рекомендуем дождаться оповещения о принятии доклада.
По всем вопросам, связанным с оплатой оргвзноса, обращайтесь к локальному организационному коммитету rcwdfm26@mail.ioffe.ru

Участники двух конференций (6-го российско-китайского семинара по диэлектрическим и сегнетоэлектрическим материалам и II Симпозиума «Актуальные вопросы физики сегнетоэлектриков и родственных материалов» (Шуваловские чтения-2026)) : Оплачивают оргвзнос, который является суммой половины от оргвзноса каждого мероприятия. При этом суммарный оргвзнос оплачивается при регистрации на 6-ом российско-китайском семинаре по диэлектрическим и сегнетоэлектрическим материалам с указанием участия в обоих мероприятиях. В огрвзнос не входит банкет

Юрлицо

В случае, если оргвзнос оплачивает Ваша организация, Вам необходимо заполнить "Договор с юрлицом" и выслать его отсканированную версию на адрес ООО «АНДЕРС» (andersinfo@yandex.ru). После этого Вам будет выставлен счет для оплаты и направлен ответным e-mail. Оригиналы документов (договор и акт выполненных работ в 2-х экз., подписанные с вашей стороны) Вы привозите с собой на Конференцию и отдаете представителю ООО «АНДЕРС». Представитель ООО «АНДЕРС» подписывает их со своей стороны и возвращает вам ваш экземпляр документов во время работы Конференции.

Договор с юрлицом

Шаблон .doc, 82.5 КБ

Скачать

Физлицо

Оргвзнос также может оплатить Физическое лицо с компенсацией понесенных расходов Вашей организацией. В этом случае заполняется "Договор с физлицом". Различие с Договором с организацией состоит в том, что в шапке Договора указываются Ваши ФИО, а в разделе банковские реквизиты — Ваши данные. Заполненный Договор и акт (в формате .doc) необходимо выслать на адрес ООО «АНДЕРС» (andersinfo@yandex.ru). После этого Вам будет выставлен счет с оригинальным QR-кодом для оплаты и направлен ответным e-mail. Оригиналы документов (счет, договор, акт, кассовый чек) подписанные со стороны ООО «АНДЕРС», Вы сможете получить во время работы конференции. Привозить с собой распечатанные экземпляры не надо.

Договор с физлицом

Шаблон .doc, 55.5 КБ

Скачать

Без отчётности

В случае, если Вам не требуются отчетные документы, либо достаточно выписки об online-переводе, можно выполнить простой online-перевод по реквизитам ООО «АНДЕРС» или по QR-коду.
Важно: если вы оплачиваете участие самостоятельно по реквизитам, обязательно укажите название конференции в назначении платежа.

ООО «АНДЕРС» Юр. адрес: 197371, г. Санкт-Петербург, Королева пр, д. 43, корп. 1, оф. 315
ИНН 7802462605 КПП 781401001
р/с 40702810722090000111
в Филиале «С-Петербургская дирекция ПАО «УралСиб», г. Санкт-Петербург
к/с 30101810800000000706
БИК 044030706
Факс: (812) 340-21-84
Тел.: (812) 934-25-40
e-mail: andersinfo@yandex.ru
QR-код для оплаты
Приглашенные эксперты

Ключевые Докладчики

Ведущие ученые из России и Китая поделятся результатами актуальных исследований и новейшими разработками в области диэлектриков и сегнетоэлектриков.

🇷🇺
AS

Александр Сигов

РТУ МИРЭА, Россия

"Будет Объявлено Позднее"

🇷🇺
VS

Владимир Шур

Уральский Федеральный Университет, Россия

"Будет Объявлено Позднее"

🇨🇳
ZX

Zhuo Xu

Xi'an Jiaotong University

"Будет Объявлено Позднее"

🇨🇳
YS

Yang Shen

Tsinghua University

"Будет Объявлено Позднее"

Зарегистрировавшиеся Участники

Узнайте, кто участвует и выступает в этом году.

Участник Организация Тип Участия Тема
SV
Sergey Vakhrushev
Russia
Ioffe Instutute Докладчик Тема не указана
EK
Ekaterina Koroleva
Russia
Ioffe Institute Стенд Тема не указана
KP
Konstantin Petroukhno
Russia
Ioffe Institute Слушатель Тема не указана
РГ
Раджабова Мадина Гиясиддиновна
Россия
ФТИ им. Иоффе Докладчик Тема не указана
MT
Mikhail Talanov
Россия
МФТИ Докладчик Тема не указана
HS
Huiting Sui
China
Ludong University Докладчик
"Tailoring Polarization Homogeneity in Discontinuous-Columnar Bi(Fe,Mn)O3 Thin Films via Dislocation Engineering with Controlled Self-Assembly"
ПМ
Пугачев Алексей Маркович
Россия
ИАиЭ СО РАН Докладчик Тема не указана
ФН
Флёров Игорь Николаевич
Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Докладчик Тема не указана
КВ
Кузенко Данил Владимирович
Россия
ГБОУ «Школа №112 г. о. Донецк» Докладчик
"Temperature Dependence of Magnetoelectric Coupling in Multiferroic Ferrite-Garnet-Ferroelectric Composites"
AV
Aleksander Vtyurin
Russia
Kirensky Institute of Physics Докладчик Тема не указана
КВ
Константин Воротилов
Россия
РТУ МИРЭА Докладчик
"Molecular self-assembly of nanostructured ferroelectric and dielectric films for microelectronics"
NT
Nikita Ter-Oganessian
Russia
Southern Federal University Докладчик
"Molecular Dynamics Simulations of Phase Transitions and Electrocaloric Effect in PbZrO3"
AK
Alexander Krylov
Russia
Kirensky Institute to Physics FRC SB RAS Докладчик
"Structural phases in MOF DUT-8(Ni): Raman spectroscopy investigation"
СВ
Сидоров Николай Васильевич
Россия
ИХТРЭМС КНЦ РАН Докладчик Тема не указана
СП
Сергей Васильевич Павлов
Россия
МГУ Стенд
"Construction and classification of phenomenological models of phase transitions with the order parameters symmetry L=D3h by catastrophe theory methods"
YH
Yongming Hu
China
Hubei University Докладчик Тема не указана
CW
Chun-Ming Wang
China
Shandong University Докладчик Тема не указана
YJ
Ye Ji
中国
shenzhen technology university Стенд
"Non-Isothermal phase-Field Simulation of electrocaloric Responses in Ferroelectric Superlattices with Polar Vortex Structures"
XW
Xiaoyong Wei
China
Xian Jiaotong University Слушатель Тема не указана
ZY
Zhiguo Yi
China
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences Докладчик
"Photoinduced bidirectional shape deformation in inorganic solid"
PH
Prof Dr Fayaz Hussain
Pakistan
NED University of Engineering and Technology Докладчик
"Functional Properties in Lead-Free Tetragonal Tungsten Bronze (TTB) Ceramics"
JG
Jihui Gong
China
Xi'an Jiaotong University Слушатель Тема не указана
JZ
Jiwei Zhai
China
Tongji University Докладчик
"Textured KNN-based piezoelectric ceramics with excellent temperature stability"
УИ
Ускова Наталья Игоревна
Россия
Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения Докладчик Тема не указана
LX
Liu Xin
China
Xi'an Jiaotong University Докладчик
"Electro-Optical Performance Enhancement of PMN-PT Crystals via Ferroelectric Domain Engineering"
JZ
Jianguo Zhu
China
Sichuan University Слушатель Тема не указана
JC
Jinrong Cheng
P.R.China
Shanghai University Докладчик Тема не указана
GN
Gang Niu
China
Xi'an Jiaotong University Докладчик Тема не указана
HQ
Hu Qingyuan
China
Xi'an Jiaotong University Докладчик Тема не указана
MS
Min Sun
china
xi'an jiaotong university Докладчик
"Mciro/nano-crystal Composite Optical Fibers and Devices"
BJ
Bian jianjiang
China
Shanghai University Докладчик
"Temperature-Stable Microwave Dielectric Ceramics in the BaLiF3-NaMgF3 System with Ultralow Sintering Temperature"
CH
Cheng Huang
China
Suzhou City University and Soochow University Докладчик Тема не указана
KC
Kai Chen
People's Republic of China
Nanjing University of Science and Technology Докладчик
"Electric polarization in crystalline solids"
JQ
Jin Qian
China
Tongji University Слушатель Тема не указана
TY
Tongqing Yang
China
Tongji University Докладчик Тема не указана
AL
Alexander Lebedev
Russia
Lomonosov Moscow State University Стенд Тема не указана
IS
Irina Sluchinskaya
Russia
Lomonosov Moscow State University Стенд
"Suppression of Oxygen Vacancies in SrTiO3(Co) upon Niobium Doping"
МБ
Михаил Беспятов
Россия
ИНХ СО РАН Стенд Тема не указана
YP
Yongqiang Pang
China
Xi'an Jiaotong University Слушатель Тема не указана
ПП
Пронин Игорь Петрович
Россия
ФТИ им. А.Ф. Иоффе Докладчик
"Gorsky effect and imprint in spherulitic lead zirconate titanate thin films"
ZZ
Zhang zhiqiang
China
Hubei University Докладчик
"Interface-Regulated Polymer Film Dielectrics for High Temperature Capacitive Energy Storage"
ZH
Zhigao Hu
China
East China Normal University Докладчик
"Voltage-free flexoelectric control of α-In2Se3 optoelectronic synapses for visual memory enhancement"
КВ
Кабиров Юрий Вагизович
Россия
Южный федеральный университет Стенд
"Magnetoresistance of graphite-based materials"
AC
Anyang Cui
China
Shanghai Normal University Слушатель Тема не указана
АБ
Александр Белов
Россия
Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт” Докладчик Тема не указана
RE
RUSHANA M. EREMINA
Россия
Zavoisky Physical-Technical Institute KSC RAS Докладчик Тема не указана
ЛК
Леонид Николаевич Коротков
Россия
Воронежский государственный технический университет Докладчик Тема не указана
ФЮ
Федулов Дмитрий Юрьевич
РФ
АО "НИИ "Элпа" Докладчик
"Preparation and study of ceramic samples (1–x)BaTiO3 xPbFe2/3W1/3O3, x=0–0.10 with the addition of low-melting components Pb5Ge3O11 and Na2B4O7"
СН
Сергеева Ольга Николаевна
Россия
Тверской государственный университет (ТвГУ) Стенд
"Structure and dielectric properties of AlN layer epitaxially grown on GaN/Al2O3 substrate"
СВ
Солнышкин Александр Валентинович
Россия
Тверской государственный университет (ТвГУ) Стенд
"Dielectric Properties and Structure of Ceramics Based on Barium-Strontium Niobate Doped with Iron"
YS
Yang Shen
China
Tsinghua University Докладчик Тема не указана
RD
Roman Dubrovin
Russia
Ioffe Institute Стенд
"Néel spin-orbit torque in an insulating magnetoelectric antiferromagnet"
ЛР
Лебединская Алла Робертовна
РФ
Южный федеральный университет Стенд Тема не указана
ПМ
Пугачев Алексей Маркович
Россия
ИАиЭ СО РАН Докладчик Тема не указана
БИ
Брулев Артем Игоревич
Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Стенд
"Spin dynamics at the spin-reorientation transitions in a mixed rare-earth orthoferrite"
TB
Tang Bin
China
University of Electronic Science and Technology of China Стенд
"Yttrium-regulated defect chemistry and grain-boundary blocking in fine-grained BaTiO3 ceramics for reliable BME-MLCCs"
MZ
Moke Zhou
China
Xihua Univesity Докладчик
"The Evolution of Dislocation Configurations in Yttrium Aluminium Garnet (YAG) Ceramics and the Mechanisms Governing Their Full-Band Microwave Dielectric Response"
ZM
Zhenyong Man
China
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences Докладчик
"Effect of Sb and Mn Content on the Transition of Defect Pinning Mode and Fatigue Resistance of PMSZT Ceramics"
CH
Chengpeng Hu
China
Harbin Institute of Technology Докладчик Тема не указана
XM
Xiangda Meng
China
Harbin Institute of Technology Докладчик
"Domain evolution induced by multi-field and its properties in KN-based single crystals"
ЖИ
Жемеров Евгений Игоревич
Россия
РТУ МИРЭА Стенд Тема не указана
АХ
Анатолий Николаевич Ходан
Россия
ФГБУН Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук Докладчик
"Monolithic highly porous 3D oxide nanostructures as a promising basis for creating new functional nanomaterials for optical devices in the THz-GHz range"
HZ
Haowei Zhou
China
Xi'an Jiaotong University Докладчик
"Structured-Engineered Few-Layer MXene Composite Films with Tailored Dielectric Properties for Advanced Microwave Absorption"
KA
Kamzin Aleksandr
Россия
Ioffe Institute RAS Докладчик
"The state and prospects of application of multiferroic nanoparticles for human life: biomedicine (diagnostics and treatment), water purification"
ZH
ZIlin Huang
China
Xi'an Jiaotong University Докладчик
"Entropy-Driven Lattice Distortion and Interface Coupling in Garnet@MXene Core–Shell Heterostructures for Ultrahigh-Performance Microwave Absorption and Efficient Infrared Thermal Insulation"
КА
Кислухин Никита Александрович
Российская Федерация
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА Докладчик
"Formation kinetics of Ge nanoclusters upon thermal disproportionation of [GeOx]z[SiO2]1-z films"
TJ
Tingting Jia
China
Hubei university Докладчик
"Enhanced Ferroelectric Performances in Optimized Sol-Gel Y-Doped HfO2 Thin Films"
FF
Fadi Fu
China
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences Слушатель Тема не указана
АГ
Александр Евгеньевич Ганжа
Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (СПбПУ) Докладчик
"In-situ diffraction study of phase competition in thin-film PbZrO₃"
АА
Алексеева Ольга Александровна
Россия
Фти им. А.Ф. Иоффе Докладчик Тема не указана
УА
Утоплов Андрей Александрович
Россия
Южный федеральный университет Стенд
"Positive magnetoresistance of graphite/dielectric composites (ZnO, Li₄P₂O₇, GeO₂, NaCl, KBr)"
ЕС
Елена Стукова
Россия
ФГБОУ ВО "Амурский государственный университет" Стенд
"Линейные и нелинейные диэлектрические свойства пористой керамики Ba(Ti0,9Zr0,1)O3"
БВ
Барабанова Екатерина Владимировна
Россия
ФГБОУ ВО "Тверской государственный университет" Докладчик Тема не указана
АБ
Антонина Баянкина
Россия
Уральский Федеральный Университет Стенд Тема не указана
WH
Wanbiao Hu
China
Yunnan University Докладчик
"Local lattice and domain modulation for enhanced magnetoelectric property in BiFeO3"
YW
Yu Wang
China
Harbin Institute of Technology Докладчик
"Induction and Dynamic Evolution of Ferroelectric Domains in KTN Crystals for Optical Applications"
КМ
кострицкий сергей Михайлович
Россия
ООО НПК Оптолинк Стенд
"Raman spectra of proton-exchanged waveguides in different near-congruent LiNbO3 crystals"
SN
Sofronova Svetlana Nikolaevna
Russia
L. V. Kirensky Institute of Physics – structural division of the Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences”, Докладчик
"Structural and Magnetic Properties of Ludwigites Co3-xNixBO5"
УД
Ушаков Андрей Дмитриевич
Россия
Уральский федеральный университет Стенд Тема не указана
DK
Dmitry Kiselev
Russia
National University of Science & Technology MISIS Стенд
"Exploring the Compositional Dependence of Microscale Piezoelectric Properties in (1-x)(K0.5Na0.5)NbO3 – xBaZrO3 ceramics"
KO
Kuvikin Ivan Olegovich
Russia
Ioffe Institute Докладчик
"X-ray diffraction study of the structure of the relaxor ferroelectric PbNi1/3Nb2/3O3"
LS
Lushnikov Sergey
Russia
Ioffe Institute Докладчик Тема не указана
ND
Nikita Derets
Russia
Ioffe Institute Докладчик Тема не указана
KV
Kapegin Anton Vsevolodovich
Russian Federation
Ioffe Institute Стенд Тема не указана
РМ
Ринат Мамин
Россия
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН Докладчик
"Features of the magnetic, conducting and superconducting properties of the heterostructures on ferroelectric substrates"
ВС
Виолетта Сафина
Россия
ФГАОУ ВО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» Стенд
"Effect of thickness on charge transport and piezoelectricity in RF-sputtered ultra-thin BiFeO3 films"
KB
Kirill Brekhov
Russia
MIREA - Russian Technological University Докладчик
"Nonlinear-optical and THz properties of Sr0.75Ba0.25Nb2O6 films on sapphire substrate"
ЛН
Ломанова Наталья
Россия
ФТИ им. А.Ф. Иоффе Стенд Тема не указана
МЮ
Молоков Антон Юрьевич
Россия
ФТИ им А.Ф. Иоффе Стенд Тема не указана
В
Владислав
Россия
РТУ МИРЭА Докладчик
"Microstructural Characteristics of Porous PZT Films Prepared Using Various Surfactants"
小杰锅锅来咯
中国
湖北大学 Стенд Тема не указана
小杰锅锅来咯
中国
湖北大学 Стенд
"Preparation of Hafnium Zirconium Oxide Ferroelectric Thin Films by Sol-Gel Method and Their Application in Gallium Oxide Ultraviolet Photodetectors"
ДС
Дмитрий Савельев
Россия
РТУ МИРЭА Стенд
"Influence of electric field on magnetoelectric effect in a composite structure containing electrostrictor"
ИС
Ирина Случинская
Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Стенд
"Suppression of Oxygen Vacancies in SrTiO3(Co) upon Niobium Doping"
ЕВ
Еськов Андрей Владимирович
Россия
СПбГЭТУ ЛЭТИ Слушатель Тема не указана
ШВ
Шуба Андрей Витальевич
Россия
ВУНЦ ВВС "ВВА" Стенд
"Pulsed Switching of Ferroelectrics"
JZ
JIncang Zhang
China
Materials Genome Institute, Shanghai University Слушатель Тема не указана
СП
Смирнова Елена Павловна
Россия
ФТИ им. А.Ф. Иоффе Докладчик
"Effect of High-Fluence Neutron/Gamma Irradiation on Thermal Expansion of BiScO3 – PbTiO3 Piezoceramics"
JN
Jialin Niu
China
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University/ Xi'an Technological University Слушатель
"Ultrahigh Symmetric Electrostrain in BNT-based Single Crystals Enabled by Dual-atom-induced Long-range/Local Symmetry Decoupling: In Situ Reciprocal-space Evidence"
ЗГ
Залесский Вячеслав Геннадьевич
Россия
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Докладчик
"Flexoelectricity and polarizability of ferroelectrics"
KZ
Kirill Zhivetev
Russia
Moscow institute of physics and technology Стенд
"Experimental evidence of low-temperature structural phase transition in lead-free (K,Na)NbO3 ferroelectric ceramics"
JQ
Jin Qian
China
Tongji University Докладчик
"Design of ferroelectric topological domains for piezoelectric and energy storage applications"
ТВ
Торяник Софья Витальевна
Россия
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» Стенд Тема не указана
XD
Xinhai Dong
China
Hubei University Стенд
"Energy Storage Performance of Doping-Modified BaTiO3-Based Ceramics"
СА
Соколов Алексей Александрович
Россия
ИАиЭ СО РАН Стенд Тема не указана
АЧ
Анастасия Чуприк
Россия
Московский физико-технический институт Докладчик
"Impact of ferroelectric layer thickness on retention and endurance performance of Hf0.5Zr0.5O2-based FRAM capacitors"
CH
chengpeng hu
china
harbin institute of technology Докладчик
"Engineering of Charged Domain Walls in Lead-Free KNN Single Crystals"
TV
Torianik Sofia Vitalievna
Russian Federation
National University of Science and Technology “MISIS” Стенд
"Interpretation of the K 2p chemical shift in oxygen-containing compounds"
RB
Roman Burkovsky
Russia
Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University Докладчик
"In-situ switching of antiferroelectric PbHfO3 single crystals and theory of their E-T phase diagrams"
M
mungunsuvdg3@gmail.com
РФ
РТУ МИРЭА Докладчик Тема не указана
AN
Arkhipov Nickolay
Россия
Peter the Great Saint Petersburg Polytechnic University Докладчик Тема не указана
СА
Сосунов Алексей
Россия
Пермский государственный национальный исследовательский университет Докладчик Тема не указана
АТ
Андрей Тумаркин
Россия
СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Стенд
"Ferroelectric composites on the base of BaTiO3 for high frequency tunable applications"
ИВ
Иевлева Елена Викторовна
Россия
ФГБОУ ВО "Воронежский государственный технический университет" Стенд Тема не указана
СД
Савельев Евгений Дмитриевич
Россия
Уральский Федеральный Университет Стенд Тема не указана
ET
Ekaterina Trotsenko
Россия
Moscow Institute of Physics and Technology Слушатель Тема не указана
НВ
Наседкин Андрей Викторович
Россия
Южный федеральный университет Докладчик
"Problems of Designing Piezoelectric Metamaterials with Controllable Properties"
ПА
Павленко Анатолий
Россия
ЮНЦ РАН Стенд
"Fabrication, Nanostructure, and Properties of 0.91NaNbO3–0.09SrZrO3/SrRuO3(001)/MgO(001) Thin Films"
IS
Ilya Shnaidshtein
Russia
Lomonosov Moscow State University Докладчик Тема не указана
GS
Gregory Shnaidshtein
Russia
Tver State University Докладчик Тема не указана

Программа Семинара

Пять дней интенсивного научного обмена и налаживания связей.

Скачать программу в PDF
14:00 18:00

Будет Объявлено Позднее

Будет Объявлено Позднее

Лобби Отеля
18:30 21:00
Будет Объявлено Позднее

Будет Объявлено Позднее

Будет Объявлено Позднее

Комитеты Семинара

Организационный комитет

Cопредседатели

АC

Александр Сигов

Академик РАН, РТУ МИРЭА
Россия

СВ

Сергей Вахрушев

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе
Россия

ZX

Zhuo Xu

Xi’an Jiaotong University
China

🇷🇺
  • Ирина Чугуева Министерство Науки и Высшего Образования РФ
  • Леонид Коротков Воронежский Государственный Технический Университет
  • Игорь Флёров Институт Физики им. Л.В. Киренского СО РАН
  • Александр Камзин Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе
🇨🇳
  • Guorong Li Shanghai Institute of Ceramics, CAS
  • Haoshuang Gu Hubei University
  • Hanxing Liu Wuhan University of Technology
  • Jianguo Zhu Sichuan University

Программный комитет

Cопредседатели

ВШ

Владимир Шур

Уральский Федеральный Университет
Россия

СЛ

Сергей Лушников

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе
Россия

XW

Xiaoyong Wei

Xi’an Jiaotong University
China

🇷🇺
  • Елена Мишина РТУ МИРЭА
  • Александр Втюрин Институт Физики им. Л.В. Киренского СО РАН
  • Елена Смирнова Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе
  • Никита Тер-Оганесян НИИ Физики ЮФУ
  • Ринат Мамин Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского
🇨🇳
  • Yang Shen Tsinghua University
  • Zhifu Liu Shanghai Institute of Ceramics, CAS
  • Hao Tian Harbin Institute of Technology
  • Hua Hao Wuhan University of Technology
  • Yongming Hu Hubei University

Локальный Организационный Комитет

ЕК

Екатерина Королёва

Председатель
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе, Россия

ОА

Ольга Алексеева

Секретарь
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе, Россия

  • Антон Молоков, Россия
  • Константин Петрухно, Россия
  • Jihui Gong, China

Принимающий Институт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук - один из ведущих исследовательских центров России, получивший мировое признание благодаря выдающемуся вкладу в развитие физики и технологий.

Век Научных Прорывов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук - один из ведущих исследовательских центров России, всемирно известный своим новаторским вкладом в развитие физики и технологий.

Передовые Исследования

Сегодня институт ведет передовые исследования в области:

  • Физики Твердого Тела
  • Нанотехнологий
  • Физики Плазмы
  • Астрофизики
Ioffe Physical-Technical Institute Building

Институт в Цифрах

1500+
Сотрудников
80+
Специализированных Лабораторий
1000+
Научных Публикаций Ежегодно
5
Нобелевских Лауреатов

Место Проведения

Санкт-Петербург

Исторический центр научных инноваций.

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе

Россия, 194021, Санкт-Петербург,
ул. Политехническая, д. 26

Спланируйте своё пребывание

Рекомендации по Размещению

Для удобства участия в конференции мы подобрали несколько проверенных вариантов проживания, расположенных недалеко от места проведения.

Самостоятельное бронирование

Обратите внимание: оргкомитет не оказывает помощь с размещением участников. Пожалуйста, свяжитесь с выбранной гостиницей и осуществите бронирование самостоятельно.

Рекомендуемые варианты

  • Гостиница «Орбита»
  • Гостиница «Спутник»
  • Апартаменты ЖК «Like»
  • Апартаменты «Океан»

Возможности для Сотрудничества

Приветствуются любые предложения по спонсорской поддержке конференции!

Спонсорский пакет

  • Стенд для рекламных материалов или выставочного оборудования.

  • Включение рекламной страницы в программу конференции

  • Размещение логотипа компании на информационных материалах конференции: плакатах, анонсах, сборнике тезисов, сайте и т.д.

  • Распространение рекламных материалов среди зарегистрированных участников конференции.

Связаться с нами

Контакты для получения более подробной информации о спонсорских пакетах.